由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC宣布，Spansion推出基于3V MirrorBit技术的PL-N产品线。PL-N产品线专为满足无线手持设备对程序代码储存需求日益增加而设计。

　　256Mb的产品建立在Spansion成功的1.8V产品基础上，可以帮助设计人员从浮动匣门（floating gate）技术移转到曾获大奖、每单位可储存双位数据的MirrorBit技术，进而提高产品价格竞争力。

　　MirrorBit PL-N系列产品可以提供快速分页存取模式操作和同步读写功能，专为需要卓越闪存性能的3.0V无线手持设备平台而设计。这些256 Mb闪存产品可以让现有的多功能手持设备储存更多应用程序代码，以支持高分辨率的拍照、摄影、MP3音乐、电子邮件、Java应用以及游戏等功能。

　　Spansion PL-N系列产品的工作电压为3V，拥有与浮动匣门系列产品相同的高性能特性。这些产品的容量包括128Mb、256Mb以及最高512Mb。可以用在多芯片封装（MCP）上。这两个系列？品在封装和接脚上具有兼容性，确保客户可以完全移转到MirrorBit技术，Spansion还免费提供软件驱动程序的程序代码和相关支持。

　　MirrorBit PL-N系列产品可提供分页模式操作，每页存取时间只需25ns（nanoseconds），同时采用Spansion的同步读写功能，可在写入或删除时同步进行读取，而不会产生任何延迟情形。MirrorBit PL-N拥有Spansion创新的高级扇区保护功能。这项安全功能可以防止无线手持设备遭受恶意攻击和病毒的影响。

　　Spansion现已推出MirrorBit PL256 Mb NOR Flash样品，并将于第四季开始生产。